GaN器件的直接驅動配置

作者:電工吧 日期:2020-08-11 00:06:09 人氣: 欄目:人工智能

受益于集成器件保護,直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容(Ciss、Coss、Crss)和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現諸如圖騰柱無橋功率因數控制器(PFC)等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗,MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)實現此類拓撲。本文中,我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優點,包括更低的開關損耗、更佳的壓擺率控制和改進的器件保護。

GaN器件的直接驅動配置(圖1)

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GaN器件的直接驅動配置(圖2)GaN器件的直接驅動配置.doc

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